В статье
«Технология легирования в мультикристаллическом кремнии: учет неполной ионизации и подвижности носителей заряда» описана модель расчёта профилей удельного сопротивления в p-типе кремния, легированного бором, фосфором и галлием.
Engee применялся для научных расчётов при построении квазиплоских профилей сопротивления с учётом неполной ионизации примесей и подвижности носителей заряда.
Работа была представлена на конференции REEPE-2025 и проиндексирована в рецензируемой базе данных Scopus.